안녕하세요, 답변드립니다.

1.

문제 회로에서 출력이 발생하기 위한 조건을 진리표를 작성하여 계산해야 합니다.

Rs를 통해 게이트 신호가 들어가면 Rc를 통해 컬렉터 전류가 흐르고 출력이 발생하지 않습니다.

따라서, 출력이 발생하려면 입력 5[V] 전위가 게이트 신호로 들어가지 않게 되어 트랜지스터 도통되지 않아야 합니다.

A, B가 등전위일 때 즉 진리표 1, 1인 경우에 게이트 신호로 전류가 흘러 트랜지스터가 도통 되기 때문에 A, B가 1, 1제외한

(0, 0), (0, 1), (1, 0) 즉, NAND 회로일 때 출력이 발생함을 알 수 있습니다.

2.

해당 문제와 관련된 내용은 교재에 수록되지 않았습니다. 학습자의 적절한 학습을 위해 시험에 출제된 모든 이론을

교재에 수록할 수 없었던 점 양해 부탁드립니다.

해당 문제 풀이 영샹 링크 남겨드립니다.(19분부터)

https://youtu.be/paeeeRGI4Es?feature=shared

3.

소호리액터접지방식은 병렬공진을 이용해서 지락전류를 0에 가깝게 만드는 접지방식으로,
지락전위상승이 항상 큰 것은 아니며 합조도가 부족보상일 때 운전하면 지락 사고 시 과대한 이상전압이 발생할 우려가 있는 것을 나타냅니다.
또한, 중성점 잔류전압이 발생할 경우 공진회로를 통해 대전류가 흘러서 큰 이상전압을 초래하며, 건전상의 전위상승은 √3배까지 상승합니다.
따라서 단선사고 시 전위상승은 소호리액터접지방식이 더 크다고 판단됩니다.

비접지방식의 경우 지락사고 시 전위상승이 가장 최대입니다.